陶瓷基板一种重要的封装材料,随着IGBT大功率电子元器件的增加,将散热问题已经推到“行业焦点”。陶瓷基板凭借着出色的导热性、绝缘性以及低热膨胀系数,可以广泛用于高功率芯片封装中。如:第三代半导体器件、大功率电子模块、太阳能电池板组件、新能源汽车等等。
覆铜陶瓷基板按工艺可分:DBC直接覆铜陶瓷基板、DPC直接电镀陶瓷基板、AMB活性金属钎焊陶瓷基板。其中,AMB覆铜陶瓷基板在半导体功率中大量使用。
氮化铝AMB陶瓷基板:(活性金属钎焊法)将陶瓷材料与金属焊接,在钎料中加入活性元素提高表面湿润性,通过化学方式在陶瓷表面形成反应层,使陶瓷与金属之间直接进行钎焊焊接。
注:活性元素过高,会造成钎料脆性大,容易形成内部裂纹、孔隙;活性元素过低,会降低连接强度,容易形成虚焊等问题。这些问题都会导致后续电子封装使用时散热发生故障,导致电子设备发生短路,停止工作。
目前,我国大功率封装质量检测中,利用无损检测设备超声扫描显微镜(Scanning Acoustic Microscope )简称“超声C-SAM”进行内部质量评估与分析。可以检测以“AMB陶瓷基板”为代表工艺样品的内部裂纹、空洞、夹杂等缺陷,并以超声C扫描图像形式展现,非技术人员也可以快速找到缺陷位置。
AMB活性金属钎焊陶瓷基板超声C扫描
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